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CoolSiC™ MOSFETs

Portfolio mit Leistungshalbleitern für USV und Energiespeicherung

Um der schnell wachsenden Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid (SiC) gerecht zu werden, ergänzt die Infineon Technologies AG die 1200 V CoolSiC™ MOSFET-Familie. Das CoolSiC Easy 2B erlaubt Ingenieuren, die Leistungsdichte zu erhöhen und damit Systemkosten zu senken. Mit dem Modul lassen sich ebenfalls die Betriebskosten deutlich reduzieren. Denn durch die um rund 80 Prozent geringeren Schaltverluste gegenüber Silizium-IGBTs sind damit bei Wechselrichtern Wirkungsgrade von über 99 Prozent erreichbar. Die speziellen SiC-Eigenschaften erlauben den Betrieb bei gleicher oder sogar höherer Schaltfrequenz. Dies ist besonders hilfreich bei schnell schaltenden Anwendungen wie Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeicher.

Das Standardgehäuse Easy 2B für Leistungsmodule zeichnet sich durch eine äußerst geringe Streuinduktivität aus. Mit einer Vielzahl von Halbbrücken-, Six-Pack- und Booster-Modulen bietet Infineon das größte SiC-Portfolio im Easy-Gehäuse auf dem Markt. Die Halbbrückenkonfiguration des CoolSiC Easy 2B kann problemlos für den Aufbau von Four- und Six-Pack-Topologien genutzt werden. Das neue Bauteil erweitert den Leistungsbereich von Halbbrücken-Modulen mit einem Einschalt-Widerstand (R DS(ON)) pro Schalter von nur 6 m?. Damit setzt es für Leistungshalbleiter im Easy 2B-Gehäuse einen neuen Maßstab.

Die integrierte Body-Diode des CoolSiC MOSFET-Chips sorgt darüber hinaus für eine verlustarme Freilauffunktion ohne zusätzlich notwendigen Diodenchip. Während der NTC-Temperatursensor die Überwachung des Moduls erleichtert, reduziert die PressFIT-Technologie die Montagezeit.

www.infineon.com

 

 


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