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Ultra-softe IGBT-Freilaufdioden

Branchenweit beste Werte für niedrige Verluste

Die Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG bringt eine neue Diodenfamilie auf den Markt, die speziell für moderne IGBT-Anwendungen entwickelt wurde. Infineon® Prime Soft verfügt über eine verbesserte Ausschaltfähigkeit, die jetzt bei 5 kA/µs liegt. Die neue Familie baut auf den bewährten IGCT-Freilaufdioden auf, die gekennzeichnet sind durch ein monolithisches Siliziumdesign. Typische Anwendungen für die Dioden sind HVDC/FACTs und Mittelspannungsantriebe mit spannungsgeführtem Umrichter. Anwendungen, die hohe Anforderungen an die Verlustleistung stellen.

Kunden, die die neue Prime Soft-Diode einsetzen, profitieren von branchenweit besten Verlustwerten im eingeschalteten Zustand. Das wird durch das monolithische Siliziumdesign ermöglicht. Denn im Vergleich zu Multichip-Dioden schafft dieses eine um mehr als 25 Prozent größere aktive Siliziumfläche. Das neue Design verbessert die Schaltleistung auf bis zu 6 bis 10 MW bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 140°C. Im Vergleich zu einem freischwingenden Kontakt ohne feste metallurgische Verbindung zwischen Silizium und Molybdänträger ist der thermische Widerstand des neuen Bauteils mit Bonds um rund 20 Prozent geringer.

Neben den hohen Standards bei Zuverlässigkeit und thermischer Eigenschaft kennzeichnen minimale Schaltverluste die Infineon Prime Soft Dioden. Das weiche Verhalten bei der Sperrerholzeit zeigt bei allen relevanten Betriebsbedingungen keine unzulässigen Schwingungen. Neben den elektrischen Parametern vereinfacht das neue mechanische Konzept den Stapelaufbau in Serie von Presspack-IGBTs und Freilaufdioden. Dies reduziert den Zeitaufwand für das Stack-Design um etwa 50 Prozent.

Die ultra-softe IGBT-Freilaufdiode im Press-Pack-Gehäuse ist ab sofort mit einer Sperrspannung von 4,5 kV verfügbar. Die Dioden gibt es mit drei unterschiedlichen Silizium-Durchmessern: D1600U45X122, D2700U45X122 und D4600U45X172.

Das monolithische Siliziumdesign der Infineon® Prime Soft Diode schafft eine größere aktive Siliziumfläche, im Vergleich zu Multichip-Dioden um mehr als 25 Prozent. Das neue Design verbessert die Schaltleistung auf bis zu 6 bis 10 MW bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 140°C.

www.infineon.com


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